NT5CC256M16DP-FLNA vs NT5CC256M16DN-FLNA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT5CC256M16DP-FLNA por Nanya Technology e NT5CC256M16DN-FLNA por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA ✓ Ativo
Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT5CC256M16DP-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA
Marca Nanya Technology Nanya Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $20,00 $6,00
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Total Density 4 Gb —
Tensão de alimentação 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Taxa de dados 1600 Mbps (PC3L-12800) 1600 Mbps (PC3-12800)
Latência CAS 11, 12, 13 11
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8
Number of Banks 8 —
Interface SSTL-15 16-bit I/O
Encapsulamento BGA-96 (13x9 mm) 96-ball FBGA
Temperatura de operação -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Auto self-refresh, auto precharge Auto-refresh and self-refresh
Recursos Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (1.283V-1.45V)
Backward Compatible Voltage — 1.5V ±0.075V
Faixa de temperatura de operação — Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação