NT5CC256M16DP-FLNA vs NT5CC256M16DN-FLNA 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16DP-FLNA 제조: Nanya Technology 및 NT5CC256M16DN-FLNA 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16DP-FLNA | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $20.00 | $6.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4 Gb | — |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS 레이턴시 | 11, 12, 13 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Number of Banks | 8 | — |
| 인터페이스 | SSTL-15 | 16-bit I/O |
| 패키지 | BGA-96 (13x9 mm) | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh | Auto self-refresh, auto precharge | Auto-refresh and self-refresh |
| 특징 | Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset | — |
| Density | — | 4Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| 동작 온도 범위 | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |