SS0530 vs BSS126H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von SS0530 von Panjit und BSS126H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter SS0530 BSS126H6327XTSA2
Marke Panjit Infineon
Kategorie Diodes MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,03 $0,32
Manufacturer Panjit International Inc. —
Part Number SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001) —
Device Type Schottky Barrier Diode —
Configuration Single Single
Gehäuse SOD-123 SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Maximum DC Blocking Voltage (VR) 30 V —
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 0.5 A —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 5.0 A —
Forward Voltage Drop (Vf) [DATA_NEEDED: Vf at rated IF] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet) —
Storage Temperature Range -55 C to +150 C (typical) —
Diode Family / Part Series SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky) —
RoHS-Status Compliant (Pb-free matte tin finish) Compliant
Packaging Tape and Reel (R1) —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction, typical)
Pin-Anzahl — 3
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes (Infineon 'green' package)

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