STW11NK90Z vs STW12NK95Z Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von STW11NK90Z von STMicroelectronics und STW12NK95Z von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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STW11NK90Z STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter STW11NK90Z STW12NK95Z
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,70 $3,19
Drain-Source Voltage (VDS) 900 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 9.5 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 38 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.85 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V to 5 V —
Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 150 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 20 pF —
Maximum Power Dissipation (PD) 250 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55°C to +150°C —
Gehäuse TO-247 TO-247-3
Montageart Through Hole Through Hole
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) — 950 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 10 A
On-Resistance (Rds on) Max — 0.90 ohm
On-Resistance (Rds on) Typ — 0.69 ohm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 230 W
Technology — SuperMESH (Zener-protected PowerMESH)
Gate Protection — Zener-protected gate oxide
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
dv/dt Capability — Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value]
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)
Gate Charge — Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value]

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