TLF11251LDXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLF11251LDXUMA1 von Infineon und 1EDN7126GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLF11251LDXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,98 $0,29
Funktion Half-Bridge Gate Driver Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Ausgangskonfiguration Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side) —
Ausgangstyp Non-Inverting —
Peak Output Current 2.5 A (source/sink) —
Anstiegszeit 60 ns (typical) —
Abfallzeit 60 ns (typical) —
Supply Voltage Range 3.5 V to 7 V —
Number of Drivers 1 (half-bridge) —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL (non-inverting) 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
Betriebstemperatur -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1) —
Gehäuse PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad) PG-VSON-10-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q100 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Protection Features Shoot-through protection, UVLO —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes

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