TLF11251LDXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLF11251LDXUMA1 par Infineon et 1EDN7126GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLF11251LDXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,29
Fonction Half-Bridge Gate Driver Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration de sortie Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side) —
Type de sortie Non-Inverting —
Peak Output Current 2.5 A (source/sink) —
Temps de montée 60 ns (typical) —
Temps de descente 60 ns (typical) —
Supply Voltage Range 3.5 V to 7 V —
Number of Drivers 1 (half-bridge) —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL (non-inverting) 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
Température de fonctionnement -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1) —
Boîtier PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad) PG-VSON-10-4
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Protection Features Shoot-through protection, UVLO —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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