TLF11251LDXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TLF11251LDXUMA1 por Infineon e 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro TLF11251LDXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $0,29
Função Half-Bridge Gate Driver Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuração de saída Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side) —
Tipo de saída Non-Inverting —
Peak Output Current 2.5 A (source/sink) —
Tempo de subida 60 ns (typical) —
Tempo de descida 60 ns (typical) —
Supply Voltage Range 3.5 V to 7 V —
Number of Drivers 1 (half-bridge) —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL (non-inverting) 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
Temperatura de operação -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1) —
Encapsulamento PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Status RoHS Compliant Compliant
Protection Features Shoot-through protection, UVLO —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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