TLF11251LDXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de TLF11251LDXUMA1 por Infineon y 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro TLF11251LDXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,98 $0,29
Función Half-Bridge Gate Driver Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuración de salida Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side) —
Tipo de salida Non-Inverting —
Peak Output Current 2.5 A (source/sink) —
Tiempo de subida 60 ns (typical) —
Tiempo de bajada 60 ns (typical) —
Supply Voltage Range 3.5 V to 7 V —
Number of Drivers 1 (half-bridge) —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL (non-inverting) 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1) —
Encapsulado PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad) PG-VSON-10-4
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Protection Features Shoot-through protection, UVLO —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes

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