ULN2803APG vs ULN2803APGOM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ULN2803APG von Toshiba und ULN2803APGOM von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ULN2803APG ULN2803APGOM
Marke Toshiba Toshiba
Kategorie Transistors Transistors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $1,05
Number of Channels 8 8
Transistortyp 8x NPN Darlington Pairs 8x NPN Darlington (open-collector sink)
Configuration Common-emitter, 8-channel sink driver —
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 50 V 50 V
Continuous Collector Current (per channel) 500 mA —
Package Power Dissipation 760 mW (DIP-18) —
DC Current Gain (hFE) Typical > 1000 (Darlington) 2000 typ at low IC (Darlington cascade)
Input Base Resistor 2.7 kOhm 2.7 kOhm (5 V CMOS-compatible)
Logic Input Compatibility 5 V CMOS / TTL —
Clamp Diodes Integral free-wheeling diodes on each output Integral free-wheeling diodes on all 8 channels
Betriebstemperatur -40C to +85C —
Montageart Through-Hole Through Hole (THT)
Gehäuse DIP-18 (0.300 inch, 7.62 mm) PDIP-18 (DIP-18, 300 mil, through-hole)
Pin-Anzahl 18 —
RoHS-Status Compliant —
Continuous Collector Current (IC) — 500 mA per channel
Peak Collector Current (ICP) — [DATA_NEEDED: peak collector current per channel]
Total Package Dissipation (PD) — 2.25 W at 25 C ambient
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +85 C
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C
MSL-Level — Not applicable (through-hole)
Lead-Free / RoHS Status — Compliant (verify per lot)
Manufacturer — Toshiba
Marking Suffix — (O,M) indicates Toshiba factory packaging/tray code

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern