ULN2803APG vs ULN2803APGOM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ULN2803APG par Toshiba et ULN2803APGOM par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ULN2803APG ULN2803APGOM
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie Transistors Transistors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $1,05
Number of Channels 8 8
Type de transistor 8x NPN Darlington Pairs 8x NPN Darlington (open-collector sink)
Configuration Common-emitter, 8-channel sink driver —
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 50 V 50 V
Continuous Collector Current (per channel) 500 mA —
Package Power Dissipation 760 mW (DIP-18) —
DC Current Gain (hFE) Typical > 1000 (Darlington) 2000 typ at low IC (Darlington cascade)
Input Base Resistor 2.7 kOhm 2.7 kOhm (5 V CMOS-compatible)
Logic Input Compatibility 5 V CMOS / TTL —
Clamp Diodes Integral free-wheeling diodes on each output Integral free-wheeling diodes on all 8 channels
Température de fonctionnement -40C to +85C —
Type de montage Through-Hole Through Hole (THT)
Boîtier DIP-18 (0.300 inch, 7.62 mm) PDIP-18 (DIP-18, 300 mil, through-hole)
Nombre de broches 18 —
Statut RoHS Compliant —
Continuous Collector Current (IC) — 500 mA per channel
Peak Collector Current (ICP) — [DATA_NEEDED: peak collector current per channel]
Total Package Dissipation (PD) — 2.25 W at 25 C ambient
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +85 C
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C
Niveau MSL — Not applicable (through-hole)
Lead-Free / RoHS Status — Compliant (verify per lot)
Manufacturer — Toshiba
Marking Suffix — (O,M) indicates Toshiba factory packaging/tray code

Fiches techniques et ressources

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