ULN2803APG vs ULN2803APGOM 비교

다음의 상세 나란히 비교: ULN2803APG 제조: Toshiba 및 ULN2803APGOM 제조: Toshiba. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 ULN2803APG ULN2803APGOM
브랜드 Toshiba Toshiba
카테고리 Transistors Transistors
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.18 $1.05
Number of Channels 8 8
트랜지스터 유형 8x NPN Darlington Pairs 8x NPN Darlington (open-collector sink)
Configuration Common-emitter, 8-channel sink driver —
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 50 V 50 V
Continuous Collector Current (per channel) 500 mA —
Package Power Dissipation 760 mW (DIP-18) —
DC Current Gain (hFE) Typical > 1000 (Darlington) 2000 typ at low IC (Darlington cascade)
Input Base Resistor 2.7 kOhm 2.7 kOhm (5 V CMOS-compatible)
Logic Input Compatibility 5 V CMOS / TTL —
Clamp Diodes Integral free-wheeling diodes on each output Integral free-wheeling diodes on all 8 channels
동작 온도 -40C to +85C —
실장 유형 Through-Hole Through Hole (THT)
패키지 DIP-18 (0.300 inch, 7.62 mm) PDIP-18 (DIP-18, 300 mil, through-hole)
핀 수 18 —
RoHS 상태 Compliant —
Continuous Collector Current (IC) — 500 mA per channel
Peak Collector Current (ICP) — [DATA_NEEDED: peak collector current per channel]
Total Package Dissipation (PD) — 2.25 W at 25 C ambient
동작 온도 범위 — -40 C to +85 C
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C
MSL 레벨 — Not applicable (through-hole)
Lead-Free / RoHS Status — Compliant (verify per lot)
Manufacturer — Toshiba
Marking Suffix — (O,M) indicates Toshiba factory packaging/tray code

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