ULN2803APG vs ULN2803APGOM Comparación

Comparación detallada lado a lado de ULN2803APG por Toshiba y ULN2803APGOM por Toshiba. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ULN2803APG ULN2803APGOM
Marca Toshiba Toshiba
Categoría Transistors Transistors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $1,05
Number of Channels 8 8
Tipo de transistor 8x NPN Darlington Pairs 8x NPN Darlington (open-collector sink)
Configuration Common-emitter, 8-channel sink driver —
Tensión colector-emisor (Vceo) 50 V 50 V
Continuous Collector Current (per channel) 500 mA —
Package Power Dissipation 760 mW (DIP-18) —
DC Current Gain (hFE) Typical > 1000 (Darlington) 2000 typ at low IC (Darlington cascade)
Input Base Resistor 2.7 kOhm 2.7 kOhm (5 V CMOS-compatible)
Logic Input Compatibility 5 V CMOS / TTL —
Clamp Diodes Integral free-wheeling diodes on each output Integral free-wheeling diodes on all 8 channels
Temperatura de funcionamiento -40C to +85C —
Tipo de montaje Through-Hole Through Hole (THT)
Encapsulado DIP-18 (0.300 inch, 7.62 mm) PDIP-18 (DIP-18, 300 mil, through-hole)
Recuento de pines 18 —
Estado RoHS Compliant —
Continuous Collector Current (IC) — 500 mA per channel
Peak Collector Current (ICP) — [DATA_NEEDED: peak collector current per channel]
Total Package Dissipation (PD) — 2.25 W at 25 C ambient
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +85 C
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C
Nivel MSL — Not applicable (through-hole)
Lead-Free / RoHS Status — Compliant (verify per lot)
Manufacturer — Toshiba
Marking Suffix — (O,M) indicates Toshiba factory packaging/tray code

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