W25H02JVTBIM vs MT25QL02GCBB8E12-0AUT Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von W25H02JVTBIM von Winbond und MT25QL02GCBB8E12-0AUT von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter W25H02JVTBIM MT25QL02GCBB8E12-0AUT
Marke Winbond Micron Technology
Kategorie Memory ICs Flash
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,38 $7,65
Density 2 Gbit (256M x 8) —
Speichertyp Serial NOR Flash NOR Flash, Serial (SPI)
Schnittstelle SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR SPI, Dual SPI, Quad I/O
Maximum Clock Rate 133 MHz —
Equivalent Throughput (Quad DTR) 416 MHz (50 MB/s) —
Access Time 7.5 ns —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Sector Size 4 KB uniform —
Block Size 32 KB and 64 KB —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per sector —
Data Retention 20 years —
Gehäuse 24-ball TFBGA (8x6 mm) 24-T-PBGA (6x8 mm)
Betriebstemperatur -40C to +85C -40C to +125C
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
JEDEC Manufacturer ID 0xEF (Winbond) —
Memory Capacity — 2 Gbit (256 MB)
Speicherorganisation — 256M x 8
Maximale Taktfrequenz — 133 MHz
Versorgungsspannung — 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage — 3 V
Endurance — 100000 write/erase cycles
Qualification — AEC-Q100 (automotive)
Eigenschaften — XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access
Marking Code — RW340
Supply Voltage Class — 3 V (MT25QL series)
Access Protocol Support — Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI

Datenblätter & Ressourcen

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