W25H02JVTBIM vs MT25QL02GCBB8E12-0AUT 비교

다음의 상세 나란히 비교: W25H02JVTBIM 제조: Winbond 및 MT25QL02GCBB8E12-0AUT 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ 활성

사양 비교

파라미터 W25H02JVTBIM MT25QL02GCBB8E12-0AUT
브랜드 Winbond Micron Technology
카테고리 Memory ICs Flash
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.38 $7.65
Density 2 Gbit (256M x 8) —
메모리 유형 Serial NOR Flash NOR Flash, Serial (SPI)
인터페이스 SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR SPI, Dual SPI, Quad I/O
Maximum Clock Rate 133 MHz —
Equivalent Throughput (Quad DTR) 416 MHz (50 MB/s) —
Access Time 7.5 ns —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Sector Size 4 KB uniform —
Block Size 32 KB and 64 KB —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per sector —
Data Retention 20 years —
패키지 24-ball TFBGA (8x6 mm) 24-T-PBGA (6x8 mm)
동작 온도 -40C to +85C -40C to +125C
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes —
JEDEC Manufacturer ID 0xEF (Winbond) —
Memory Capacity — 2 Gbit (256 MB)
메모리 구성 — 256M x 8
최대 클록 주파수 — 133 MHz
공급 전압 — 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage — 3 V
Endurance — 100000 write/erase cycles
Qualification — AEC-Q100 (automotive)
특징 — XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access
Marking Code — RW340
Supply Voltage Class — 3 V (MT25QL series)
Access Protocol Support — Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI

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