W25H02JVTBIM vs MT25QL02GCBB8E12-0AUT 比較

詳細な並列比較: W25H02JVTBIM メーカー: Winbond および MT25QL02GCBB8E12-0AUT メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Winbond
W25H02JVTBIM W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM ✓ 生産中
Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ W25H02JVTBIM MT25QL02GCBB8E12-0AUT
ブランド Winbond Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Flash
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.38 $7.65
Density 2 Gbit (256M x 8) —
メモリタイプ Serial NOR Flash NOR Flash, Serial (SPI)
インターフェース SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR SPI, Dual SPI, Quad I/O
Maximum Clock Rate 133 MHz —
Equivalent Throughput (Quad DTR) 416 MHz (50 MB/s) —
Access Time 7.5 ns —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Sector Size 4 KB uniform —
Block Size 32 KB and 64 KB —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per sector —
Data Retention 20 years —
パッケージ 24-ball TFBGA (8x6 mm) 24-T-PBGA (6x8 mm)
動作温度 -40C to +85C -40C to +125C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
JEDEC Manufacturer ID 0xEF (Winbond) —
Memory Capacity — 2 Gbit (256 MB)
メモリ構成 — 256M x 8
最大クロック周波数 — 133 MHz
電源電圧 — 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage — 3 V
Endurance — 100000 write/erase cycles
Qualification — AEC-Q100 (automotive)
特長 — XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access
Marking Code — RW340
Supply Voltage Class — 3 V (MT25QL series)
Access Protocol Support — Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼