W634GU6RB-11TR vs IS43TR16256A-125KBL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB-11TR von Winbond und IS43TR16256A-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ Aktiv
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter W634GU6RB-11TR IS43TR16256A-125KBL
Marke Winbond ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $32,00 $19,09
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Datenrate 1866 MT/s 1600MT/s
Access Time 20 ns 20 ns
Versorgungsspannung 1.35V (1.5V compatible) —
Schnittstelle Parallel —
Gehäuse 96-VFBGA (7.5x13 mm) 96-TWBGA (9x13mm)
Betriebstemperatur -40°C to +95°C 0°C to +95°C (Tc)
CAS-Latenz 13 11
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant —
Halogenfrei Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.5V ± 0.075V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.5V ± 0.075V
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
RoHS — Compliant
Anzahl der Pins — 96

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