W634GU6RB-11TR vs IS43TR16256A-125KBL 비교

다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB-11TR 제조: Winbond 및 IS43TR16256A-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ 활성
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL ✓ 활성

사양 비교

파라미터 W634GU6RB-11TR IS43TR16256A-125KBL
브랜드 Winbond ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $32.00 $19.09
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
데이터 속도 1866 MT/s 1600MT/s
Access Time 20 ns 20 ns
공급 전압 1.35V (1.5V compatible) —
인터페이스 Parallel —
패키지 96-VFBGA (7.5x13 mm) 96-TWBGA (9x13mm)
동작 온도 -40°C to +95°C 0°C to +95°C (Tc)
CAS 레이턴시 13 11
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant —
할로겐 프리 Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.5V ± 0.075V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.5V ± 0.075V
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
RoHS — Compliant
핀 수 — 96

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