W634GU6RB-11TR vs IS43TR16256A-125KBL 对比

详细并排对比 W634GU6RB-11TR 出自 Winbond 和 IS43TR16256A-125KBL 出自 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ 量产中
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL ✓ 量产中

规格对比

参数 W634GU6RB-11TR IS43TR16256A-125KBL
品牌 Winbond ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $32.00 $19.09
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
数据速率 1866 MT/s 1600MT/s
Access Time 20 ns 20 ns
电源电压 1.35V (1.5V compatible) —
接口 Parallel —
封装 96-VFBGA (7.5x13 mm) 96-TWBGA (9x13mm)
工作温度 -40°C to +95°C 0°C to +95°C (Tc)
CAS 延迟 13 11
存储组织 256M x 16 256M x 16
安装类型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 状态 Compliant —
无卤 Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.5V ± 0.075V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.5V ± 0.075V
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
RoHS — Compliant
引脚数 — 96

数据手册与资源

浏览全部产品 创建 BOM 获取报价