W634GU6RB-11TR vs IS43TR16256A-125KBL Comparación

Comparación detallada lado a lado de W634GU6RB-11TR por Winbond y IS43TR16256A-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ Activo
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro W634GU6RB-11TR IS43TR16256A-125KBL
Marca Winbond ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $32,00 $19,09
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Velocidad de datos 1866 MT/s 1600MT/s
Access Time 20 ns 20 ns
Tensión de alimentación 1.35V (1.5V compatible) —
Interfaz Parallel —
Encapsulado 96-VFBGA (7.5x13 mm) 96-TWBGA (9x13mm)
Temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C 0°C to +95°C (Tc)
Latencia CAS 13 11
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Sin halógenos Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.5V ± 0.075V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.5V ± 0.075V
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
RoHS — Compliant
Número de pines — 96

Hojas de datos y recursos

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