W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB-11TR von Winbond und K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $32,00 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | — |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Datenrate | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| CAS-Latenz | 13 | Programmable |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |