W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 Comparación
Comparación detallada lado a lado de W634GU6RB-11TR por Winbond y K4B4G1646D-BYH9 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $32,00 | $2,30 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | — |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| Latencia CAS | 13 | Programmable |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |