W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB-11TR par Winbond et K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $32,00 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | — |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| Latence CAS | 13 | Programmable |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |