1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDI20N12AFXUMA1 por Infineon y 2ED21834S06JXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDI20N12AFXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,45 $0,89
Driver Configuration Single high-side, isolated —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer), reinforced —
Number of Channels 1 —
Maximum Supply Voltage (Output Side) 17 V —
Minimum Supply Voltage (Output Side) 3.1 V —
Peak Source Current 4.0 A (typical) —
Peak Sink Current 3.5 A (typical) —
Working Voltage (Isolation) 1200 V (high-side rail reference) —
Propagation Delay 120 ns (typical) —
Configuración de salida Separate source and sink pins —
Short-Circuit Clamping Yes (built-in) —
Encapsulado PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Número de pines — 14
Estado RoHS — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización