1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDI20N12AFXUMA1 par Infineon et 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDI20N12AFXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,45 $0,89
Driver Configuration Single high-side, isolated —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer), reinforced —
Number of Channels 1 —
Maximum Supply Voltage (Output Side) 17 V —
Minimum Supply Voltage (Output Side) 3.1 V —
Peak Source Current 4.0 A (typical) —
Peak Sink Current 3.5 A (typical) —
Working Voltage (Isolation) 1200 V (high-side rail reference) —
Propagation Delay 120 ns (typical) —
Configuration de sortie Separate source and sink pins —
Short-Circuit Clamping Yes (built-in) —
Boîtier PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Nombre de broches — 14
Statut RoHS — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000

Fiches techniques et ressources

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