1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDI20N12AFXUMA1 メーカー: Infineon および 2ED21834S06JXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDI20N12AFXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.45 $0.89
Driver Configuration Single high-side, isolated —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer), reinforced —
Number of Channels 1 —
Maximum Supply Voltage (Output Side) 17 V —
Minimum Supply Voltage (Output Side) 3.1 V —
Peak Source Current 4.0 A (typical) —
Peak Sink Current 3.5 A (typical) —
Working Voltage (Isolation) 1200 V (high-side rail reference) —
Propagation Delay 120 ns (typical) —
出力構成 Separate source and sink pins —
Short-Circuit Clamping Yes (built-in) —
パッケージ PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
動作温度範囲 -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
ピン数 — 14
RoHS ステータス — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000

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