1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDI60H12AHXUMA1 por Infineon y 1ED020I12B2XUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDI60H12AHXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,18 $2,65
Product Type Single-channel high-side gate driver IC —
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
Configuración de salida Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
Encapsulado PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm 8 mm
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
Nivel MSL 2 (1 year floor life) MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 °C to +125 °C
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Compliance — RoHS compliant

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización