1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDI60H12AHXUMA1 par Infineon et 1ED020I12B2XUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDI60H12AHXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,18 $2,65
Product Type Single-channel high-side gate driver IC —
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
Configuration de sortie Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
Boîtier PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm 8 mm
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
Niveau MSL 2 (1 year floor life) MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant —
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 °C to +125 °C
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Compliance — RoHS compliant

Fiches techniques et ressources

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