2ED21084S06JXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED21084S06JXUMA1 por Infineon y 2ED21064S06JXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED21084S06JXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $0,85
Función Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side Gate Driver
Topología Half-bridge (high-side + low-side) High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
High-side Offset Voltage (max) 650 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typical) 0.7 A 0.7 A
Propagation Delay Rise (typical) 100 ns —
Propagation Delay Fall (typical) 35 ns —
Input Logic Non-inverting (HIN/LIN) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
UVLO (VCC) [DATA_NEEDED: VCC UVLO threshold] —
UVLO (VBS) [DATA_NEEDED: VBS UVLO threshold] —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado PG-DSO-14-49 (14-pin wide-body SOIC) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 3 [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Hojas de datos y recursos

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