2ED21084S06JXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED21084S06JXUMA1 par Infineon et 2ED21064S06JXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED21084S06JXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,85
Fonction Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side Gate Driver
Topologie Half-bridge (high-side + low-side) High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
High-side Offset Voltage (max) 650 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typical) 0.7 A 0.7 A
Propagation Delay Rise (typical) 100 ns —
Propagation Delay Fall (typical) 35 ns —
Input Logic Non-inverting (HIN/LIN) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
UVLO (VCC) [DATA_NEEDED: VCC UVLO threshold] —
UVLO (VBS) [DATA_NEEDED: VBS UVLO threshold] —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier PG-DSO-14-49 (14-pin wide-body SOIC) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 3 [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Fiches techniques et ressources

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