2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon y 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL6014ACG2DXTMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $0,94
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Configuración de salida Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Función — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS — Compliant

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