2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EDL6014ACG2DXTMA1 제조: Infineon 및 2ED2103S06FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2EDL6014ACG2DXTMA1 2ED2103S06FXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.18 $0.94
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
출력 구성 Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
동작 온도 -40 C to +125 C —
패키지 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
기능 — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
동작 온도 범위 — -40C to +125C
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS 상태 — Compliant

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