2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL6014ACG2DXTMA1 par Infineon et 2ED2103S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL6014ACG2DXTMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,94
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Configuration de sortie Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Fonction — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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