2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon y 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,84 $1,18
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Número de salidas 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Estado RoHS Compliant —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Configuración de salida — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

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