2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8033G4CXTMA1 par Infineon et 2EDL6014ACG2DXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,84 $1,18
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Nombre de sorties 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Statut RoHS Compliant —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Configuration de sortie — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

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