2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 比較

詳細な並列比較: 2EDL8033G4CXTMA1 メーカー: Infineon および 2EDL6014ACG2DXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2EDL8033G4CXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.84 $1.18
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
出力数 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
動作温度範囲 -40C to +125C —
パッケージ PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
RoHS ステータス Compliant —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
出力構成 — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
動作温度 — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

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