2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL8034G4CXTMA1 por Infineon y 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,55 $1,18
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Número de salidas 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Isolated (level-shifted floating high-side)
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Configuración de salida — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización