2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8034G4CXTMA1 par Infineon et 2EDL6014ACG2DXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $1,18
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Nombre de sorties 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Isolated (level-shifted floating high-side)
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
Température de jonction en fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Configuration de sortie — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Fiches techniques et ressources

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