2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL8034G4CXTMA1 por Infineon e 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $1,18
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Número de saídas 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Isolated (level-shifted floating high-side)
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
Temperatura de junção de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Configuração de saída — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Fichas técnicas e recursos

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