2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EDL8034G4CXTMA1 제조: Infineon 및 2EDL6014ACG2DXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.55 $1.18
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
출력 수 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Isolated (level-shifted floating high-side)
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
동작 접합 온도 -40 C to +125 C —
패키지 PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] —
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
출력 구성 — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
동작 온도 — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

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