2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EP110RXTMA1 por Infineon y 2EP101RXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EP110RXTMA1 2EP101RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,92 $0,88
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topología Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
Frecuencia de conmutación 50 kHz / 65 kHz (selectable) —
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
Encapsulado PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
Configuración de salida Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) —
Nivel MSL MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
Número de salidas — 1 (full-bridge differential primary)
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

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