2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EP110RXTMA1 von Infineon und 2EP101RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EP110RXTMA1 2EP101RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,92 $0,88
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topologie Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
Schaltfrequenz 50 kHz / 65 kHz (selectable) —
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
Gehäuse PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
Ausgangskonfiguration Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) —
MSL-Level MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
Anzahl der Ausgänge — 1 (full-bridge differential primary)
Betriebstemperaturbereich — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern