2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EP110RXTMA1 par Infineon et 2EP101RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EP110RXTMA1 2EP101RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $0,88
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topologie Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
Fréquence de commutation 50 kHz / 65 kHz (selectable) —
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
Boîtier PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
Configuration de sortie Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) —
Niveau MSL MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
Nombre de sorties — 1 (full-bridge differential primary)
Plage de température de fonctionnement — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

Fiches techniques et ressources

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