2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EP110RXTMA1 por Infineon e 2EP101RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EP110RXTMA1 2EP101RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $0,88
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topologia Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
Frequência de comutação 50 kHz / 65 kHz (selectable) —
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
Encapsulamento PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
Configuração de saída Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) —
Nível MSL MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
Número de saídas — 1 (full-bridge differential primary)
Faixa de temperatura de operação — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação