2N7002H6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2N7002H6327XTSA2 por Infineon y BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2N7002H6327XTSA2 BSS308PEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,08 $0,11
Tipo de transistor N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 Automotive
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Encapsulado / Carcasa — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Número de pines — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización