2N7002H6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2N7002H6327XTSA2 por Infineon e BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2N7002H6327XTSA2 BSS308PEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,08 $0,11
Tipo de transistor N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 Automotive
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Encapsulamento / Caixa — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Número de pinos — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Fichas técnicas e recursos

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