2N7002H6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002H6327XTSA2 par Infineon et BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2N7002H6327XTSA2 BSS308PEH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,08 $0,11
Type de transistor N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 Automotive
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Boîtier / Format — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Nombre de broches — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

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