2N7002L vs BSS123IXTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2N7002L por onsemi y BSS123IXTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2N7002L BSS123IXTSA1
Marca onsemi Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,03 $0,11
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET OptiMOS Small-Signal
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Configuration Single FET Single N-Channel
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

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