2N7002L vs BSS123IXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002L par onsemi et BSS123IXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2N7002L BSS123IXTSA1
Marque onsemi Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,03 $0,11
Type de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET OptiMOS Small-Signal
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Configuration Single FET Single N-Channel
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Fiches techniques et ressources

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