AS4C512M16D4A-62BCNTR vs NT5AD512M16C4-JRI Comparación

Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4A-62BCNTR por Alliance Memory y NT5AD512M16C4-JRI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Activo
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro AS4C512M16D4A-62BCNTR NT5AD512M16C4-JRI
Marca Alliance Memory Nanya Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,10 $75,58
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit (512M x 16) —
Tensión de alimentación 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
Clock Rate 1600 MHz (DDR4-3200) —
Latencia CAS 18 ns —
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13 mm) TFBGA-96
Temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C (Commercial) —
Interfaz POD (Pseudo Open Drain) —
Velocidad de datos 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant Compliant
Moisture Sensitivity Level 3 (168 Hours) —
Write Cycle Time - Word, Page 15 ns —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Standard Pack 1500/reel (Tape & Reel) —
Memory Density — 8 Gbit
Organización de memoria — 512M x 16
Rango de temperatura de funcionamiento — -40°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

Hojas de datos y recursos

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