AS4C512M16D4A-62BCNTR vs NT5AD512M16C4-JRI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4A-62BCNTR par Alliance Memory et NT5AD512M16C4-JRI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Actif
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AS4C512M16D4A-62BCNTR NT5AD512M16C4-JRI
Marque Alliance Memory Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $75,58
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (512M x 16) —
Tension d'alimentation 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
Clock Rate 1600 MHz (DDR4-3200) —
Latence CAS 18 ns —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13 mm) TFBGA-96
Température de fonctionnement 0°C to +95°C (Commercial) —
Interface POD (Pseudo Open Drain) —
Débit de données 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant Compliant
Moisture Sensitivity Level 3 (168 Hours) —
Write Cycle Time - Word, Page 15 ns —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Standard Pack 1500/reel (Tape & Reel) —
Memory Density — 8 Gbit
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Plage de température de fonctionnement — -40°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

Fiches techniques et ressources

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